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IXFP36N20X3M
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 36A, TO-220
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| 10+ | CNY19.880 (CNY22.4644) |
| 100+ | CNY18.150 (CNY20.5095) |
| 500+ | CNY17.260 (CNY19.5038) |
| 1000+ | CNY16.430 (CNY18.5659) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFP36N20X3M
库存编号3949056
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续36A
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
功率耗散36W
工作温度最高值150°C
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
36A
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
36W
产品范围
X3-Class HiPerFET Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.003638