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IXFX230N20T
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 230A, +247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY180.450 (CNY203.9085) |
| 5+ | CNY152.420 (CNY172.2346) |
| 10+ | CNY124.380 (CNY140.5494) |
| 50+ | CNY123.760 (CNY139.8488) |
| 100+ | CNY123.140 (CNY139.1482) |
| 250+ | CNY122.510 (CNY138.4363) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFX230N20T
库存编号3771250
技术数据表
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续230A
漏源接通状态电阻0.0075ohm
晶体管封装类型PLUS247
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
工作温度最高值175°C
技术规格
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
5V
电流, Id 连续
230A
晶体管封装类型
PLUS247
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010433