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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTF02N450
库存编号3930056
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds4.5kV
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻750ohm
晶体管封装类型ISOPLUS i4-PAK
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压-
阈值栅源电压最大值-
功率耗散78W
针脚数3引脚
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
N-channel enhancement mode high voltage power MOSFET suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuits and laser and X-Ray generation systems applications.
- Silicon chip on Direct-Copper Bond (DCB) substrate
- Isolated mounting surface
- 4500V electrical isolation
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- High voltage package
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
ISOPLUS i4-PAK
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
78W
工作温度最高值
-
合规
-
漏源电压, Vds
4.5kV
漏源接通状态电阻
750ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001