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产品概述
N-channel enhancement mode high voltage power MOSFET suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuit and laser and X-Ray generation systems applications.
- High blocking voltage
- High voltage power MOSFET
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-247HV
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
520W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
4.5kV
漏源接通状态电阻
80ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001