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IXTT110N10L2
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 110A, TO-268E
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTT110N10L2
库存编号3771274
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻0.018ohm
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散600W
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
110A
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
4.5V
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.018ohm
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600W
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005171