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IXTT140P10T
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY124.020 (CNY140.1426) |
| 50+ | CNY113.940 (CNY128.7522) |
| 100+ | CNY103.850 (CNY117.3505) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTT140P10T
库存编号3930118
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续140A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散568W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
P-channel enhancement mode avalanche rated TrenchP™ power MOSFET suitable for use in high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Fast intrinsic diode
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
140A
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
568W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001