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5+ | CNY46.850 (CNY52.9405) |
10+ | CNY36.590 (CNY41.3467) |
50+ | CNY36.290 (CNY41.0077) |
100+ | CNY35.980 (CNY40.6574) |
250+ | CNY35.670 (CNY40.3071) |
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
6.2A
漏源接通状态电阻
0.75ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
60W
产品范围
LSIC1MO170 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001