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DS1220AB-120+
非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 120 ns, EDIP
已停产
产品信息
制造商产品编号DS1220AB-120+
库存编号2516484
技术数据表
存储器类型SRAM
存储器容量16Kbit
NVRAM 内存配置2K x 8位
芯片接口类型-
存取时间120ns
封装类型EDIP
针脚数24引脚
电源电压最小值4.75V
电源电压最大值5.25V
工作温度最小值0°C
工作温度最高值70°C
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021)
DS1220AB-120+ 的替代之选
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产品概述
DS1220AB-120+ 是一款16K非易失性SRAM, 24引脚EDIP封装。这款16384 bit全静态非易失性SRAM采用2048 words x 8 bit结构。具有独立的锂电源和控制电路, 可连续检测VCC是否超出允许范围。在这种情况下, 锂电源会自动开启, 并且无条件启用写入保护, 以防止数据损坏。首次通电之前, 锂电源保持断开状态。NV SRAM可以代替2K x 8 SRAM, 采用流行的24引脚DIP封装。该器件与2716 EPROM和2816 EEPROM引脚布局兼容, 可以直接替换, 并提高性能。写入周期没有限制, 连接微处理器不需要额外的支持电路。
- 电源电压范围4.75V至5.25V
- 工作温度范围: 0°C 到 70°C
- 无外部电源情况下, 最少可保留数据10年
- 断电时自动保护数据
- 低功率CMOS科技
- 读写访问时间: 120ns
- 写入保护电压 4.62V
- 5pF输入/输出电容
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
存储器类型
SRAM
NVRAM 内存配置
2K x 8位
存取时间
120ns
针脚数
24引脚
电源电压最大值
5.25V
工作温度最高值
70°C
MSL
MSL 1 -无限制
存储器容量
16Kbit
芯片接口类型
-
封装类型
EDIP
电源电压最小值
4.75V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.012085