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LND150N3-G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, 通孔
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| 1000+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
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产品概述
The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Easy to parallel
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
740mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
1000ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00025