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MSC080SMA120S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号MSC080SMA120S
库存编号3929951
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续35A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散182W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
MSC080SMA120S is a 1200V, 80mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 3-lead TO-268 (D3PAK) package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
35A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
182W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001