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TN0702N3-G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, 通孔
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|---|---|
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| 25+ | CNY9.340 (CNY10.5542) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 1000+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
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产品概述
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable for Logic level interfaces (TTL and CMOS), Solid state relays, Battery operated systems, Photo voltaic drives, Analog switches etc.
- Low threshold - 1.6V max.
- High input impedance
- Low input capacitance - 130pF typical
- Fast switching speeds
- Low on-resistance guaranteed at VGS = 2, 3, and 5V
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
530mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1.3ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361