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产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
闪存类型
NAND
记忆配置
6G x 1位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
时钟频率最大值
208MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
6Gbit
接口
并行口
针脚数
137引脚
存取时间
22ns
电源电压最大值
1.95V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000907