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MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
FLASH MEMORY, 2GBIT, -40 TO 85DEG C
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY29.850 (CNY33.7305) |
| 10+ | CNY27.840 (CNY31.4592) |
| 25+ | CNY26.760 (CNY30.2388) |
| 50+ | CNY26.260 (CNY29.6738) |
| 100+ | CNY25.480 (CNY28.7924) |
| 250+ | CNY24.680 (CNY27.8884) |
| 500+ | CNY24.540 (CNY27.7302) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
库存编号4684143
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度2Gbit
记忆配置256M x 8bit
接口Parallel
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数63引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间16ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
芯片安装Surface Mount
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
256M x 8bit
IC 外壳 / 封装
VFBGA
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V Parallel NAND Flash Memories
存储密度
2Gbit
接口
Parallel
针脚数
63引脚
存取时间
16ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
Surface Mount
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00189