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MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E.
FLASH MEMORY, 2GBIT, -40 TO 105DEG C
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| 25+ | CNY27.340 (CNY30.8942) |
| 50+ | CNY26.840 (CNY30.3292) |
| 100+ | CNY26.110 (CNY29.5043) |
| 250+ | CNY25.610 (CNY28.9393) |
| 500+ | CNY25.150 (CNY28.4195) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E.
库存编号4588106
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度2Gbit
记忆配置128M x 16bit
接口Parallel
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数63引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间22ns
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值1.95V
额定电源电压1.8V
芯片安装Surface Mount
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围1.8V Parallel NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
128M x 16bit
IC 外壳 / 封装
VFBGA
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8V Parallel NAND Flash Memories
存储密度
2Gbit
接口
Parallel
针脚数
63引脚
存取时间
22ns
电源电压最大值
1.95V
芯片安装
Surface Mount
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361