MT40A1G8SA-075:E

MT40A1G8SA-075:E 是一款 DDR4 SDRAM。它是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x4 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合，旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。

• 1 千兆 x 8 配置，tCK = 0.750ns，CL = 19 周期时间，CAS 延迟
• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV, VPP = 2.5V, -125mV, +250mV
• 片上、内部、可调 VREFDQ 生成，1.2V 伪开漏 I/O
• 16 个内部组（x4、x8）： 4 组，每组 4 个存储体
• 可编程数据选通前置信号
• 数据选通前缀训练、命令/地址延迟 (CAL)
• 多用途寄存器 "读取"和 "写入"功能、写入均衡
• 自刷新模式、低功耗自动自刷新 (LPASR)、温控刷新 (TCR)
• 细粒度刷新、自刷新中止、最大限度省电
• 78-ball FBGA 封装，商用温度范围为 0 至 95°C

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。