打印页面
1,254 有货
需要更多?
1254 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY556.870 (CNY629.2631) |
5+ | CNY535.480 (CNY605.0924) |
10+ | CNY514.080 (CNY580.9104) |
25+ | CNY497.320 (CNY561.9716) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY556.87 (CNY629.26 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT40A4G8NEA-062E:F
库存编号3880969
技术数据表
DRAM类型DDR4
存储密度32Gbit
记忆配置4G x 8位
时钟频率最大值1.6GHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数78引脚
额定电源电压1.2V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT40A4G8NEA-062E:F 是一款 TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM。这是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器件,内部配置为两个 16 块 DDR4 SDRAM 器件。虽然双芯片封装内的每个芯片都经过单独测试,但某些 TwinDie 测试结果可能与单芯片封装内的同类芯片测试结果不同。DDR4 SDRAM 采用双数据速率架构来实现高速运行。双数据速率架构是一种 8n 预取架构,其接口设计用于在 I/O 球上每个时钟周期传输两个数据字。单次读取或写入访问包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在 I/O 球上进行 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。
- 128 兆 x 8 x 16 组 x 2 级
- 每个等级有 4 组内部银行,可同时运行
- 3200MT/s 数据传输速率
- 0.625ns 时 CL = 22(DDR4-3200)时序 - 周期时间
- VDD = VDDQ = 1.2V (1.14-1.26V)
- 1.2V VDDQ 端接 I/O
- 13.75ns tAA、13.75ns tRCD 和 13.75ns tRP
- 128K A[16:0] 行地址和 1K A[9:0] 列地址
- 78-ball FBGA 封装(7.5 mm x 11 mm x 1.2 mm) 模具参考:F
- 工作温度范围:(0°C ≤ TC ≤ 95°C)
技术规格
DRAM类型
DDR4
记忆配置
4G x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.2V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
32Gbit
时钟频率最大值
1.6GHz
针脚数
78引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001