MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E 是一款采用96引脚FBGA封装的MT40A512M16 DDR4 SDRAM。该DDR4 SDRAM作为高速动态随机存取存储器，在x16配置下内部配置为八银行DRAM，而在x4和x8配置下则配置为十六银行DRAM。该DDR4 SDRAM采用8n预取架构实现高速运行。该架构结合专为I/O引脚设计的双数据字每时钟周期传输接口。DDR4 SDRAM的单次读写操作包含：内部DRAM核心执行单次8n位宽、四时钟周期数据传输，同时I/O引脚执行两次对应的n位宽、半时钟周期数据传输。

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV, VPP = 2.5V, -125mV, +250mV
• 片上可调VREFDQ生成
• 1.2V 伪开漏 I/O
• 可编程数据选通前置信号
• 数据选通信号前导训练
• 命令/地址延迟 (CAL)
• 多用途寄存器 "读取"和 "写入"功能、写入均衡
• 低功耗自动自刷新、温度控制刷新、精细粒度刷新
• 最大功率节省
• 输出驱动器校准

警告

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