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MT40A512M16TB-062E:R
DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16位, 1.6 GHz, FBGA, 96 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT40A512M16TB-062E:R
库存编号3861303
技术数据表
DRAM类型DDR4
存储密度8Gbit
记忆配置512M x 16位
时钟频率最大值1.6GHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.2V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT40A512M16TB-062E:R 是一款 DDR4 SDRAM。它是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x4 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合，旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。
- 512兆×16位配置，tCK=0.625ns，CL=21（周期时间）
- 8n位预取架构，可编程数据选通前导序列
- 数据选通信号前导训练，命令/地址延迟
- 多功能寄存器读写能力，写入电平
- 自刷新模式，低功耗自动自刷新，温度控制刷新
- 精细粒度刷新，自刷新中止，最大功率
- 输出驱动器校准，数据总线反转（DBI）用于数据
- 命令/地址（CA）奇偶校验，数据总线写入循环冗余校验
- 每DRAM可寻址性、连通性测试、JEDEC JESD-79-4兼容
- 工业温度范围 -40°C 至 95°C，96 球 FBGA 封装
技术规格
DRAM类型
DDR4
记忆配置
512M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.2V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
1.6GHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Namibia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001