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MT41K256M8DA-125 IT:K
DRAM, DDR3L, 2 Gbit, 256M x 8位, 800 MHz, FBGA, 78 引脚
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|---|---|
| 1+ | CNY38.220 (CNY43.1886) |
| 10+ | CNY34.920 (CNY39.4596) |
| 25+ | CNY33.440 (CNY37.7872) |
| 50+ | CNY31.960 (CNY36.1148) |
| 100+ | CNY30.480 (CNY34.4424) |
| 250+ | CNY30.420 (CNY34.3746) |
| 500+ | CNY28.500 (CNY32.205) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT41K256M8DA-125 IT:K
库存编号3530737
技术数据表
DRAM类型DDR3L
DRAM密度2Gbit
存储密度2Gbit
DRAM 内存配置256M x 8bit
记忆配置256M x 8位
时钟频率最大值800MHz
时钟频率800MHz
封装类型FBGA
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数78引脚
额定电源电压1.5V
存取时间1.25ns
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
- DDR3L SDRAM (32 Meg x 8 x 8 banks)
- 256 Meg x 8 configuration, tCK = 1.25ns, CL = 11 speed grade
- VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 to 1.45V), backward-compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable posted CAS additive latency (AL)
- Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
- Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
- 78-ball FBGA package, industrial temperature range from -40°C ≤ TC ≤ +95°C
技术规格
DRAM类型
DDR3L
存储密度
2Gbit
记忆配置
256M x 8位
时钟频率
800MHz
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
DRAM密度
2Gbit
DRAM 内存配置
256M x 8bit
时钟频率最大值
800MHz
封装类型
FBGA
针脚数
78引脚
存取时间
1.25ns
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001934