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| 50+ | CNY43.380 (CNY49.0194) |
| 100+ | CNY42.330 (CNY47.8329) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT48H16M32LFB5-6 IT:C
库存编号4242670
技术数据表
DRAM类型Mobile LPSDR
存储密度512Mbit
记忆配置16M x 32位
时钟频率最大值166MHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数90引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT48H16M32LFB5-6 IT:C 是一款移动LPSDR SDRAM。该高速CMOS动态随机存取存储器容量达536,870,912比特。内部配置为四通道DRAM,采用同步接口(所有信号均在时钟信号CLK的上升沿进行锁存)。这款移动LPSDR在DRAM运行性能方面实现了重大突破,包括:能够以高数据速率同步突发数据并自动生成列地址;可通过内部银行间交错操作隐藏预充电时间;以及在突发访问期间每时钟周期随机改变列地址的能力。
- 1.8V/1.8V工作电压,16M×32存储配置
- 标准寻址,6ns响应时间,tCK CL=3个时钟周期
- 全同步架构;所有信号均在系统时钟上升沿进行锁存
- 内部流水线操作;每时钟周期可更新列地址
- 四组内部存储器支持并行操作,可选输出驱动强度(DS)
- 自动预充电功能,包含并行自动预充电、自动刷新及自刷新模式
- 具备LVTTL兼容输入输出接口,内置温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新(PASR),深度关断(DPD)
- 工业工作温度范围为-40°C至+85°C,封装形式为90球VFBGA。
技术规格
DRAM类型
Mobile LPSDR
记忆配置
16M x 32位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
512Mbit
时钟频率最大值
166MHz
针脚数
90引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001