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MT48H32M16LFB4-6 IT:C
DRAM, Mobile LPSDR, 512 Mbit, 32M x 16位, 166 MHz, VFBGA, 54 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT48H32M16LFB4-6 IT:C
库存编号4242669
技术数据表
DRAM类型Mobile LPSDR
存储密度512Mbit
记忆配置32M x 16位
时钟频率最大值166MHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数54引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT48H32M16LFB4-6 IT:C是一款移动LPSDR SDRAM。它是一种高速CMOS动态随机存取存储器，容量为536,870,912bits。内部配置为四银行DRAM，采用同步接口（所有信号均在时钟信号CLK的上升沿进行寄存）。这款移动LPSDR在DRAM运行性能方面实现了重大突破，包括：支持以高数据速率同步突发传输数据并自动生成列地址；通过内部银行间交错操作隐藏预充电时间；以及在突发访问期间每时钟周期随机改变列地址的能力。
- 工作电压1.8V/1.8V，32兆×16配置
- 标准寻址模式，6ns，tCK CL=3个时钟周期
- 全同步模式：所有信号均在系统时钟正沿进行寄存
- 内部流水线操作；每时钟周期可更新列地址
- 四组内部银行支持并行操作，可选输出驱动强度(DS)
- 自动预充电，包含并行自动预充电、自动刷新和自刷新模式
- LVTTL兼容输入输出，内置温度传感器控制自刷新频率
- 部分阵列自刷新（PASR）、深度关断（DPD）
- 工业工作温度范围为-40°C至+85°C，封装形式为54球VFBGA
技术规格
DRAM类型
Mobile LPSDR
记忆配置
32M x 16位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
512Mbit
时钟频率最大值
166MHz
针脚数
54引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001244