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MT48LC16M16A2B4-6A:G
DRAM, SDR, 256 Mbit, 16M x 16位, 166 MHz, VFBGA, 54 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY50.860 (CNY57.4718) |
| 25+ | CNY49.310 (CNY55.7203) |
| 50+ | CNY48.140 (CNY54.3982) |
| 100+ | CNY46.420 (CNY52.4546) |
| 250+ | CNY45.130 (CNY50.9969) |
| 500+ | CNY44.260 (CNY50.0138) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT48LC16M16A2B4-6A:G
库存编号4242667
技术数据表
DRAM类型SDR
存储密度256Mbit
记忆配置16M x 16位
时钟频率最大值166MHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数54引脚
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值70°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT48LC16M16A2B4-6A:G是一款256Mb容量的SDR SDRAM。该高速CMOS动态随机存取存储器容量为268,435,456比特。内部配置为四通道DRAM，采用同步接口（所有信号均在时钟信号CLK的上升沿进行锁存）。对SDRAM的读写访问采用突发访问模式；访问从选定位置开始，并按预设顺序连续访问预设数量的位置。访问始于ACTIVE命令的注册，随后跟随READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时注册的地址位用于选择待访问的存储区和行。与READ或WRITE命令同时注册的地址位用于选择突发访问的起始列位置。
- 16Meg×16位（4兆字节×16位×4个存储区）配置
- tWR = 2CLK写入恢复时间
- 6ns（CL=3时，仅限x8、x16模式）周期时间
- 全同步架构；所有信号均在系统时钟上升沿进行锁存
- 内部流水线操作；每时钟周期可更新列地址
- 自动预充电，包含并行自动预充电和自动刷新模式
- 支持LVTTL兼容输入输出，仅需单3.3V±0.3V电源供电
- 全同步架构；所有信号均在系统时钟上升沿进行锁存
- 汽车工作温度范围-40°C至+105°C，封装形式为54球VFBGA
技术规格
DRAM类型
SDR
记忆配置
16M x 16位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
存储密度
256Mbit
时钟频率最大值
166MHz
针脚数
54引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
70°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001