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MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16位, TFBGA
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| 1+ | CNY265.420 (CNY299.9246) |
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| 10+ | CNY247.150 (CNY279.2795) |
| 25+ | CNY244.470 (CNY276.2511) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
库存编号4242607
技术数据表
DRAM类型LPDDR4
存储密度16Gbit
记忆配置1G x 16位
时钟频率最大值-
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数-
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The mobile low-power DDR4 SDRAM is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- 2GB (16Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 200-ball TFBGA package, AEC-Q100 automotive qualified
- Operating temperature from -40°C to +95°C
技术规格
DRAM类型
LPDDR4
记忆配置
1G x 16位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
-
针脚数
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001678