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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32位, 2.133 GHz, TFBGA, 200 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
库存编号3880972
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度32Gbit
记忆配置1G x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B 是一款 x32 汽车移动 LPDDR4 SDRAM 高速 CMOS 动态随机存取存储器件。
- 1G x 32 位内存配置，4266Mb/s 数据传输速率/引脚，468ps tCK RL= 36/40 周期时间
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ 或 1.10V VDDQ/1.80V VDD1 工作电压
- AEC-Q100 汽车级
- 频率范围为 2133 至 10MHz，时钟频率为 2133MHz，16n 预取 DDR 架构
- 每个通道有 8 个内部库，可同时运行，单数据速率 CMD/ADR 输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通，可编程读取和写入延迟 (RL/WL)
- 用于控制自刷新率的片上温度传感器
- 用于控制自刷新率的片上温度传感器、可选输出驱动强度 (DS)
- 部分阵列自刷新 (PASR)、可编程 VSS (ODT) 终止、单端 CK、支持 DQS
- 工作温度范围 -40 至 +105°C，200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1 mm（Ø0.40 SMD）封装
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
1G x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
32Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001