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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
库存编号4050872
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置1G x 64位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数556引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
产品概述
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C is a 16Gb mobile low-powerDDR4 SDRAM with lowVDDQ. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA 12.4 x 12.4 x 1.1mm (Ø0.24 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40
- Operating temperature range is –25°C to +85°C, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
1G x 64位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
556引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001