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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32位, 1.866 GHz, WFBGA, 200 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
库存编号3530743
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度8Gbit
记忆配置256M x 32位
时钟频率最大值1.866GHz
IC 外壳 / 封装WFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage, 256 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 2 die court, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- 2133 to 10MHz frequency range (data rate range: 4266–20Mb/s/ pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
256M x 32位
IC 外壳 / 封装
WFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
1.866GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001406