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MT53E256M32D2FW-046 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32位, 2.133 GHz, TFBGA, 200 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E256M32D2FW-046 AIT:B
库存编号4050880
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度8Gbit
记忆配置256M x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B 是一款具有低 VDDQ 的 4Gb 移动式低功耗 DDR4 SDRAM。它是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器。该内存内部配置为 x16 I/O、8 块。x16 的每个 536,870,912 位存储体均按 32,768 行 x 1024 列 x 16 位组织。它具有定向每组刷新功能，可实现并行组操作，并便于指令调度。该存储器具有片上温度传感器，可控制自刷新率。它具有时钟停止功能。
- 工作电压范围为 1.10V（VDD2）/0.60V 或 1.10V（VDDQ）
- 256Meg x 32 配置，=LPDDR4，2 层寻址，B 设计
- 封装方式为 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1 mm（Ø0.40 SMD）
- 在RL = 36/40 时，周期时间为 468ps，部分阵列自刷新 (PASR)
- 工作温度范围为 -40°C 至 +95°C，通过汽车认证
- 时钟频率为 2133MHz，每引脚数据速率为 4266Mb/s
- 超低电压内核和 I/O 电源
- 16n 预取 DDR 架构，每个通道有 8 个内部库，可同时运行
- 单数据速率 CMD/ADR 输入，每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟 (RL/WL)，可选输出驱动强度 (DS)
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
256M x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002424