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MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32位, 2133 MHz, TFBGA, 200 引脚
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| 10+ | CNY546.850 (CNY617.9405) |
| 25+ | CNY528.910 (CNY597.6683) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
库存编号4167677
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置2G x 32位
时钟频率最大值2133MHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
产品概述
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C is a 64Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.
- 2 Gig x 32 configuration, 4266Mb/s data rate pin
- LPDDR4, 4 die count
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Automotive AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +105°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
2G x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2133MHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001705