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MT53E2G32D4DT-046 WT:A
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32位, 2.133 GHz, VFBGA, 200 引脚
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|---|---|
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| 25+ | CNY620.990 (CNY701.7187) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E2G32D4DT-046 WT:A
库存编号3652195
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置2G x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
MT53E2G32D4DT-046 WT:A 的替代之选
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产品概述
MT53E2G32D4DT-046 WT:A 是一款 64Gbit LPDDR4 DRAM 存储器。低功耗动态随机存取存储器（LPDRAM）是专为解决电池供电应用中的功耗问题而优化的 DRAM。最初是为手机和超便携设备开发的。LPDDR4 兼顾了性能、功耗、延迟和物理空间，在不影响性能的前提下实现了高能效。
- 2.133GHz 时钟频率
- 工作温度范围: -30°C到85°C
- 性能：峰值带宽比 DDR4 快 33%
- 功耗： 待机模式功耗比标准 DRAM 低 5 倍
- 封装设计节省 PCB 空间
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
2G x 32位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001447