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MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
DRAM，LPDDR4，16 Gbit，512M x 32bit，2.133GHz，TFBGA，200引脚
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|---|---|
| 1+ | CNY151.800 (CNY171.534) |
| 10+ | CNY146.560 (CNY165.6128) |
| 25+ | CNY144.980 (CNY163.8274) |
| 50+ | CNY141.400 (CNY159.782) |
| 100+ | CNY132.140 (CNY149.3182) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
库存编号3954469
技术数据表
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度16Gbit
记忆配置512M x 32位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数200引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT53E512M32D1 是一款 16Gb 移动式低功耗 DDR4 SDRAM，具有低 VDDQ (LPDDR4X) 高速 CMOS 动态随机存取存储器件。该器件内部配置为 2 通道或 1 通道 ×16 I/O，每个通道有 8 个存储块。
- 16n 预取 DDR 架构，每个通道有 8 个内部库，可同时运行
- 单数据速率 CMD/ADR 输入，每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟 (RL/WL)、可编程 VSS (ODT) 终止
- 每个存储体定向刷新，可同时进行存储体操作，便于指令调度
- 片上温度传感器可控制自刷新率、部分阵列自刷新 (PASR)
- 可选输出驱动强度 (DS)、时钟停止功能、单端 CK 和 DQS 支持
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ 或 1.10V VDDQ 工作电压
- 512 Meg x 32 配置，LPDDR4，1 模寻址
- 200-ball TFBGA（Ø0.40 SMD）封装，468ps 周期时间
- 工作温度额定范围: -40°C到+125°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
512M x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
200引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001