打印页面
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
DRAM, 移动 LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32位, FBGA, 315 引脚
283 有货
需要更多？
283 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY596.700 (CNY674.271) |
| 5+ | CNY569.050 (CNY643.0265) |
| 10+ | CNY548.190 (CNY619.4547) |
| 25+ | CNY531.890 (CNY601.0357) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY596.70 (CNY674.27 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
库存编号4163482
技术数据表
DRAM类型移动 LPDDR5
存储密度32Gbit
记忆配置1G x 32位
时钟频率最大值-
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数315引脚
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
产品概述
- Y42M 移动 LPDDR5 SDRAM
- 每通道最大带宽 17.1GB/s，可选 CKR（WCK:CK = 2:1 或 4:1）
- 单 x16 通道/芯片，双数据速率命令/地址入口
- 差分数据时钟 (WCK_t/WCK_c)，背景 ZQ 校准/基于命令的 ZQ 校准
- 带段屏蔽的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
- I/O 类型：低摆动单端、VSS 端接、VOH 补偿输出驱动
- 动态电压频率缩放核心、单端 CK、单端 WCK 和单端 RDQS
- 工作电压为 1.05V VDD2/0.5V VDDQ，符合汽车标准
- 1 千兆 x 32 配置
- 315-ball TFBGA 封装，-40°C 至 +105°C 工作温度
技术规格
DRAM类型
移动 LPDDR5
记忆配置
1G x 32位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
32Gbit
时钟频率最大值
-
针脚数
315引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536