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MT62F3G32D8DV-023 WT:B
DRAM, LPDDR5, 96 Gbit, 3G x 32位, FBGA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY944.160 (CNY1,066.9008) |
| 10+ | CNY932.790 (CNY1,054.0527) |
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产品概述
MT62F3G32D8DV-023 WT:B is a mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM.
- Architecture: 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1)
- Frequency range: 1067–5MHz (data rate range per pin: 8533–40Mb/s with WCK:CK = 4:1)
- Data interface: single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation, differential data clocks
- 16n-bit or 32n-bit prefetch architecture
- Bank architecture: 8-bank (8B) mode, bank group (BG) mode, and 16-bank (16B) mode supported
- Command-selectable burst lengths (BL = 16 or 32) in bank group or 16-bank modes
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- 12GB (96Gb) total density, 8533Mb/s data rate per pin
- 315-ball LFBGA package, -25°C ≤ Tc ≤ +85°C operating temperature
技术规格
DRAM类型
LPDDR5
记忆配置
3G x 32位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
-
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
96Gbit
时钟频率最大值
-
针脚数
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072