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MP1907GQ-P
MOSFET驱动器, 双, 半桥, 4.5V-18V电源, 2.5A峰值输出, QFN-10
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
- 100V, 2.5A, high frequency half-bridge gate driver
- Drives N-channel MOSFET half bridge
- 100V VBST voltage range
- Input signal overlap protection
- On-chip bootstrap diode
- Less than 5ns gate drive mismatch
- Drive 1nF load with 12ns/9ns rise/fall times with 12V VDD
- TTL compatible input
- Less than 150μA quiescent current and less than 5μA shutdown current
- UVLO for both high side and low side
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
注释
MPS部件编号结尾”-P”和”-Z”为相同的部件。”P”和”Z”仅代表卷轴尺寸。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
10引脚
IC 外壳 / 封装
QFN
输入类型
非反向
灌电流
2.5A
电源电压最大值
18V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
20ns
合规
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
驱动器封装类型
QFN
芯片安装
表面安装
拉电流
2.5A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
20ns
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (19-Jan-2021)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001