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2N3637.
单晶体管 双极, PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, 通孔
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2N3637. 的替代之选
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产品概述
The 2N3637 is a -175V PNP silicon epitaxial Planar Transistor designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.
- -175V Collector to base voltage (VCBO)
- -5V Emitter to base voltage (VEBO
- 60ns Fall time (VCC = 30V, IB2 = 15mA)
- 175°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 35°C/W Thermal resistance, junction to case
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
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技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
TO-39
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
产品范围
-
最大集电极发射电压
175V
功率耗散
5W
晶体管安装
通孔
过渡频率
200MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00068