打印页面
2N7002-7-F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号2N7002-7-F
库存编号4245108
技术数据表
产品信息
制造商产品编号2N7002-7-F
库存编号4245108
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
2N7002-7-F 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：否
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:否
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：1