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BSS138BK
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 10+ | CNY0.651 (CNY0.7356) |
| 100+ | CNY0.466 (CNY0.5266) |
| 500+ | CNY0.327 (CNY0.3695) |
| 1000+ | CNY0.233 (CNY0.2633) |
| 5000+ | CNY0.204 (CNY0.2305) |
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产品概述
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- High density cell design for extremely low RDS(on)
- Rugged and Reliable
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ESD protection up to 1.5 kV
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
360mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro MOSFETs N-Channel
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01