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CD13003D
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2 A, 1.4 W, TO-126, 通孔
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| 10+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
| 100+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 500+ | CNY0.883 (CNY0.9978) |
| 1000+ | CNY0.632 (CNY0.7142) |
| 5000+ | CNY0.553 (CNY0.6249) |
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产品概述
The NPN Power Transistor is enclosed in a TO-126 Leaded Plastic Package and boasts a remarkable feature - it has a built-in integrated diode situated between the emitter and collector. This ingenious design allows for efficient power flow and enhanced performance. With the capability to handle voltage up to 400V and current up to 2Amp, this transistor is suitable for a variety of applications. It excels in high-frequency power transformations and is commonly used in power amplifiers where reliability and efficiency are paramount.
- Collector Base Voltage (Vcbo): 700V
- Collector Emitter (sus) Voltage (Vceo): 400V
- Emitter Base Voltage (Vebo): 9V
- Collector Current (Ic): 2A
- Collector Current (Icm): 3A
- Power Dissipation (Pd): 45W
- Current Gain Bandwidth Product (fr): 4MHz
- DC Current Gain max (hfe): 25
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
TO-126
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
Multicomp Pro Power Transistor
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
1.4W
晶体管安装
通孔
过渡频率
4MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02