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IRLML6401-3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商产品编号IRLML6401-3
库存编号4655267
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4.3A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压2V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散1.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro MOSFET Transistros
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The IRLML6401-3 is a P-Channel logic-level MOSFET designed for high-efficiency switching in compact applications. Housed in the space-saving SOT-23 package, this device offers excellent performance with low on-resistance and fast switching speeds. With a drain-to-source voltage of –20V and logic-level gate drive compatibility, the IRLML6401-3 is ideal for portable electronics, power management, and reverse polarity protection.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- I D: –3.7A (continuous)
- R DS(on): 0.055Ω max @ V<sub>GS</sub> = –4.5V
- Gate threshold voltage: –0.7V to –1.3V (logic-level drive)
- Low total gate charge (Q g): ~5.2nC typ
- Fast switching speed
- SOT-23 package – compact and thermally efficient
- RoHS compliant / Lead-free
- Logic-Level Drive: Operates fully with standard microcontroller GPIO outputs (2.5V–5V logic).
- High Efficiency: Low R DS(on) reduces power losses, improving battery life and thermal performance.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
2V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro MOSFET Transistros
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.098