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2N7002BKV,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 340 mA, 1 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002BKV,115
库存编号1859844RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续340mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id N沟道340mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-666
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd525mW
耗散功率N沟道525mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The 2N7002BKV is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
340mA
在电阻RDS（上）
1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
525mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-666
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
525mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907