打印页面
2N7002HSX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002HSX
库存编号3924479RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续320mA
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道320mA
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id P沟道320mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TSSOP
阈值栅源电压最大值1.75V
针脚数6引脚
功耗 Pd420mW
耗散功率N沟道420mW
耗散功率P沟道420mW
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
320mA
连续漏极电流 Id N沟道
320mA
连续漏极电流 Id P沟道
320mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.75V
功耗 Pd
420mW
耗散功率P沟道
420mW
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
1ohm
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
1ohm
晶体管封装类型
TSSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
420mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045