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BSH205G2AR
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.6 A, 0.118 ohm, TO-236AB, 表面安装
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| 1500+ | CNY0.733 (CNY0.8283) |
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产品概述
BSH205G2AR is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -20V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is -2.6A max at VGS = -4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is -10A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is -1.2A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 610mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
610mW
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.118ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
Trench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048