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BSP220,115
功率场效应管, MOSFET, P通道, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSP220,115
库存编号1758083
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻12ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散1.5W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSP220,115 是一款P通道增强模式竖直D-MOS晶体管, 微型封装。适用于继电器, 高速和线路变压器驱动器。
- 低RDS (ON)
- 直接连接C-MOS, TTL
- 高速开关
- 无二次故障
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227