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BSS138BKS,115
双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, N通道, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS138BKS,115
库存编号2575105RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续320mA
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道320mA
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id P沟道320mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.1V
针脚数6引脚
功耗 Pd280mW
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSS138BKS是一款双N沟道增强模式场效应晶体管，采用沟道MOSFET技术，采用表面安装塑料封装。它适用于继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路应用。
- 兼容逻辑电平
- 快速开关
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
320mA
连续漏极电流 Id N沟道
320mA
连续漏极电流 Id P沟道
320mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.1V
功耗 Pd
280mW
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
1ohm
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002