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BSS138PS,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS138PS,115
库存编号1972664RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续320mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.9ohm
连续漏极电流 Id N沟道320mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.9ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数6引脚
功耗 Pd420mW
耗散功率N沟道420mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSS138PS是一款双N沟道增强模式场效应晶体管，采用沟道MOSFET技术，采用表面安装塑料封装。它适用于继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路应用。
- 兼容逻辑电平
- 快速开关
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
320mA
在电阻RDS（上）
0.9ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.9ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
420mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
320mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
420mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005