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BSS84,215
功率场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS84,215
库存编号1510765RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续130mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散250mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSS84,215是一款-50V P沟道增强型场效应晶体管, 适用于计算, 通信, 消费者与工业应用. 快速开关特性, 该DMOS (扩散金属氧化物半导体)晶体管适用于高频应用.
- 适用于所有5V逻辑系列
- 适用于低栅极驱动源
- 低阈值电压
- 高速开关
- 直接连接CMOS和晶体管 - 晶体管逻辑 (TTL)
- 无二次故障
- ±20V栅-源电压
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
130mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001