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BUK6D120-60PX
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, 表面安装
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| 10+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 100+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 500+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 1000+ | CNY1.570 (CNY1.7741) |
| 5000+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK6D120-60PX
库存编号2910416
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续8A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-1220
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散15W
针脚数6引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BUK6D120-60PX is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, switching circuits.
- Side wettable flanks for optical solder inspection
- Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65mm
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is -8A maximum at VGS = -10V; Tsp = 25°C
- Total power dissipation is 15W max at Tsp = 25°C
- Source current is -8A max at Tsp = 25°C
- Electrostatic discharge voltage is 500V (HBM)
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
SOT-1220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
15W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004749