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BUK9K25-40RAX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9K25-40RAX
库存编号3617836RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续18.2A
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id N沟道18.2A
连续漏极电流 Id P沟道18.2A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型LFPAK56D
阈值栅源电压最大值1.7V
功耗 Pd32W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道32W
耗散功率P沟道32W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道
18.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
32W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
18.2A
连续漏极电流 Id N沟道
18.2A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
LFPAK56D
功耗 Pd
32W
耗散功率N沟道
32W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001