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GAN063-650WSAQ

氮化镓 (GaN)晶体管, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, 通孔

NEXPERIA GAN063-650WSAQ
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制造商:
NEXPERIA NEXPERIA
制造商产品编号:
GAN063-650WSAQ
库存编号
3106435
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产品概述

650 V, 50 mR 氮化镓 (GaN) FET是一款NO器件, 采用Nexperia先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术, 实现卓越的可靠性和性能。典型应用包括工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器, 无桥图腾柱PFC, PV和UPS逆变器, 以及伺服电机驱动器等。
  • 低反向恢复电荷
  • 简单的栅极驱动 (0 V到+10 V或12 V)
  • 坚固型栅极氧化 (±20 V 能力)
  • 高栅极阈值电压 (+4 V), 提供优秀的栅极反弹抗性
  • 低源-漏电压 (反向传导模式)
  • 瞬态过压能力 (800 V)

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产品信息

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:
650V

:
34.5A

:
0.06ohm

:
0.06ohm

:
15nC

:
TP-247

:
通孔

:
3引脚

:
AEC-Q101

:
MSL 3 - 168小时
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条款

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