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GANE3R9-150QBAZ
氮化镓 (GaN)晶体管, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY41.670 (CNY47.0871) |
| 50+ | CNY40.000 (CNY45.200) |
| 100+ | CNY38.320 (CNY43.3016) |
| 250+ | CNY36.080 (CNY40.7704) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号GANE3R9-150QBAZ
库存编号4414367RL
技术数据表
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.0039ohm
栅极电荷(典型值)20nC
针脚数25引脚
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0039ohm
针脚数
25引脚
电流, Id 连续
100A
栅极电荷(典型值)
20nC
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001