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NGW40T65H3DFPQ
IGBT, 72 A, 1.7 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY29.180 (CNY32.9734) |
| 100+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 500+ | CNY16.020 (CNY18.1026) |
| 1000+ | CNY15.570 (CNY17.5941) |
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产品概述
NGW40T65H3DFPQ is a 650V, 40A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW40T65H3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650V, 40A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
技术规格
连续集电极电流
72A
功率耗散
275W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
1.7V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001